特許
J-GLOBAL ID：200903055168967831
半導体素子の露光方法およびダミーマスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-143599
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022308
出願日： 1994年06月24日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 入射光を回折するダミーマスクを用いてウエハーを露光するに際し、回折されずにパターンマスク上に垂直に入射する光を遮断することにより、焦点深度を深めて分解能を向上させ、超微細パターンを形成することができるようにすること。【構成】 このダミーマスクは、光源からの入射光を1次回折させる回折パターン11を透明基板12の上部に形成し、更にその回折パターン11により回折されることなく垂直に入射する光を除去するための制御パターン13をその透明基板12の下部に形成している。解像力を低下させる垂直光を制御パターン13により除去できる。【効果】 ダミーマスクの制御パターン13を通過した光は、パターンマスクに傾いて入射する。従って、投射レンズを通過する光は全体的に深い焦点深度を有しており、分解能が向上するので、ウエハーに超微細パターンを形成することができる。
請求項（抜粋）：
光源から出射されイメージパターンが予め形成されたフォトマスク上に照射される光を透明基板に形成された第1のパターンで1次回折させるステップと、該ステップで回折されることなく前記フォトマスクに垂直に入射される光を透明基板に形成された第2のパターンで除去するステップとを有することを特徴とする半導体素子の露光方法。
IPC (2件)：
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