半導体基板の表面処理方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤井紘一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-294023
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110624
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】半導体基板の表面処理において、少ない処理液の消費で、均一性の高い処理ができ、特にエッチング処理の場合、低エッチングレートでラフネスもなく、かつ均一性の高いエッチング処理が行える処理方法及び装置の提供にある。【解決手段】処理液に超音波振動を加えてミスト化するミスト発生装置11と、発生させたミスト13を半導体基板の表面処理のため表面に付着させるように圧送するミスト圧送装置12と、半導体基板を搬入し前記ミスト圧送装置から圧送されたミストにより表面処理を行う処理槽14とを備えたものである。この場合に、ミスト発生装置11により発生させるミストの粒径は、その90%以上が6μm〜12μm中に含まれるようにすることが好ましく、かつ処理液はふっ酸溶液Aとして、表面処理はエッチング処理とすると好都合である。

請求項（抜粋）：

処理液に超音波振動を加えてミスト化して半導体基板の表面に付着させ表面処理を行うようにしたことを特徴とする半導体基板の表面処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 , C23F 1/12 , H01L 21/304 643 , H01L 21/304 645

FI (4件)：

C23F 1/12 , H01L 21/304 643 Z , H01L 21/304 645 B , H01L 21/306 R

Fターム (8件)：

4K057WA10 , 4K057WB06 , 4K057WD03 , 4K057WE07 , 4K057WM20 , 4K057WN01 , 5F043BB01 , 5F043EE07

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭59-115763
特開昭59-213134
特開平3-022533

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