特許

J-GLOBAL ID：200903055172819030

アクティブマトリクス基板とそれを用いた表示装置およびその製造方法

発明者： 宮田 豊
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-154590
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353235
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】付加価値の高い薄膜トランジスタ(TFT)や半導体回路を第1の基板に複数作り、第二の基板の必要部分に移載することにより、アクティブマトリクス基板のコストを下げ、部材やエネルギーの無駄を低減したアクティブマトリクス基板とそれを用いた表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第一の基板31上に形成された複数のTFT又は回路素子群と、前記複数のTFT又は回路素子群の一部を積載するための第二の基板と、前記第二の基板上のパターニングされた薄膜とを含むアクティブマトリクス基板とする。第一の基板から複数のTFT又は回路素子群の一部を第二の基板上に移動させるか又は第一の基板から複数のTFT若しくは回路素子群の一部を第三の基板を介して第二の基板上に移動させる。

請求項（抜粋）：

第一の基板上に形成された複数の薄膜トランジスタまたは回路素子群と、前記複数の薄膜トランジスタまたは回路素子群の一部を積載するための第二の基板と、前記第二の基板上のパターニングされた薄膜とを含むアクティブマトリクス基板。

IPC (10件)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 310 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 348 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (10件)：

G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 310 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 348 A ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (43件)：

2H090JB02 ,  2H090JB03 ,  2H090JB04 ,  2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092MA12 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA45 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094FB01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110QQ16