特許

J-GLOBAL ID：200903055179487122

薄膜の成膜方法

発明者： 西田 武人 ,  岡田 健
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-138347
公開番号（公開出願番号）：特開2001-316799
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 枚葉式スパッタ装置において、マスクのずれや基板の脱落を防止し、エッジ部がシャープな薄膜をマグネトロンスパッタによりマスク成膜する。【解決手段】 基板の背面に磁石を設置し、基板上のマスクに遮蔽された領域において、上記基板背面の磁石による磁束密度がカソードマグネットによる磁束密度よりも0.02T以上大となるように設定する。

請求項（抜粋）：

搬送室の周囲に少なくとも一つの搬入搬送室と少なくとも一つの成膜室とを、搬送室とはゲートバルブを介して連通させて配置した枚葉式スパッタ装置を用い、25〜400°Cの成膜温度で基板上に薄膜をマグネトロンスパッタによりマスク成膜する成膜方法であり、磁性材料からなるマスクを用い、上記成膜室において、基板背面に磁石を設置し、上記基板上のマスクにより遮蔽される領域において、基板背面に設置した磁石による磁束密度がカソードマグネットによる磁束密度以上になるように設定することを特徴とする薄膜の成膜方法。

IPC (7件)：

C23C 14/04 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/35 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (7件)：

C23C 14/04 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/35 Z ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z

Fターム (32件)：

2H092HA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA35 ,  2H092NA25 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  4K029AA09 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BB03 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC39 ,  4K029HA02 ,  4K029JA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD39 ,  4M104DD78 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F103AA08 ,  5F103BB33 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103PP18