特許
J-GLOBAL ID：200903055184093396
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051473
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263726
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】基板側から第一電極層、光電変換非晶質半導体層、透明第二電極層を順に形成した積層体を両電極層が短絡するおそれがないようにレーザ光加工して単位太陽電池に分割する工程で、照射するレーザ光の位置合わせを不要にする。【構成】第一電極層2および半導体層3を加工する第一レーザ光と、第二電極層4を加工する、それよりスポット径が大きいかあるいは複数のスポットを用いる第二レーザ光を、加工線を重複させて同時に照射することにより、位置合わせを不要にする。第二電極層加工のレーザ光は、エネルギー密度を低めるか、短波長の光を用いることにより、半導体層以下を加工しないようにする。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に第一電極層、光電変換半導体層、透明な第二電極層を積層したのち、積層体を分割して単位太陽電池を形成し、その単位太陽電池相互間を接続する薄膜太陽電池の製造方法において、複数のレーザ光線を加工部が重複するように照射して、除去された第二電極層の幅が除去された第一電極層の幅より広くなるように加工することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
引用特許：
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