特許

J-GLOBAL ID：200903055185119208

電圧電流変換回路

発明者： 山口 基
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258305
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107557
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 高抵抗素子を使わずに、任意の出力電流レベルを持つ、電圧電流変換率の小さい電圧電流変換回路を提供することである。【解決手段】 電圧電流変換率の役割を果たす抵抗素子の代わりに、N型MOSFET6のソース・ドレイン間抵抗を利用し、バイアス端子7の電位(N型MOSFETのゲート電位)により任意の出力電流レベルを決定する。高抵抗素子を使わないことからIC化に適しており、また任意の出力電流レベルを設定できることから応用範囲の広い電圧電流変換回路が実現できる。

請求項（抜粋）：

電圧電流変換抵抗としてはたらく第1のN型MOSFETと、正入力が電圧入力端子に接続され、負入力が前記第1のN型MOSFETのドレイン端子に接続されている演算増幅器と、ゲート端子が前記演算増幅器の出力に接続され、ソース端子が前記第1のN型MOSFETのドレイン端子に接続され、アクティブロードとして動作する第2のN型MOSFETと、ソース端子が電源端子に接続され、ドレイン端子とゲート端子が前記第2のN型MOSFETのドレイン端子に接続されている第1のP型MOSFETと、ソース端子が電源端子に接続され、ゲート端子が前記第1のP型MOSFETのゲート端子に接続され、ドレイン端子が電流出力端子に接続され、前記第1のP型MOSFETに流れる電流に比例した電流を出力端子に流し出す第2のP型MOSFETを具備して構成されたことを特徴とする電圧電流変換回路。