特許
J-GLOBAL ID:200903055188195363
回路基板とその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
北條 和由
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-278971
公開番号(公開出願番号):特開平10-107395
出願日: 1996年09月30日
公開日(公表日): 1998年04月24日
要約:
【要約】【課題】 細密な回路パターンの形成を可能にすると共に、回路パターン上に半導体フリップチップ等の回路部品をボンディングすることができ、しかも回路パターン間の膜厚にばらつきが生じることなく、確実にボンディングすることを可能とする。【解決手段】 非酸化雰囲気中において、導体の化合物からなるセラミック基板1の表面を所定のパターンで走査しながらレーザ光を照射し、レーザ光の照射部分を還元して導体を析出させ、この導体からなる表面パターン2を形成する。その後、この表面パターン2の上にメッキを施し、メッキ膜からなるメッキ膜パターン3を形成する。回路パターンは、これら表面パターン2とメッキ膜パターンにより形成される。
請求項(抜粋):
導体の化合物からなるセラミック基板(1)と、このセラミック基板(1)の表面に形成された回路パターンとを有する回路基板において、前記回路パターンが、所定のパターンに従ってセラミック基板(1)を還元することにより析出した導体からなる表面パターン(2)と、この表面パターン(2)の上に形成されたメッキ膜からなるメッキ膜パターン(3)とにより形成されていることを特徴とする回路基板。
IPC (3件):
H05K 1/09
, H05K 3/10
, H05K 3/24
FI (3件):
H05K 1/09 C
, H05K 3/10 C
, H05K 3/24 A
引用特許:
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