特許
J-GLOBAL ID：200903055191424160
光デバイス
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
千葉 剛宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-272620
公開番号（公開出願番号）：特開2003-084320
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】光デバイスにおけるスイッチング効率の向上と、光出射部における他の光デバイスとの結合効率の向上をともに実現する。【解決手段】光デバイス10Aは、基板12に形成されたクラッド層14と、該クラッド層14内に形成されたコア層16と、該コア層16に対向してクラッド層14の表面に形成されたヒータ電極層18とを備える。前記コア層16は、光が入力される光入射部と、ヒータ電極層18からの熱光学効果により屈折率が変化する光制御部22と、該光制御部22からの光が出力される光出射部とから構成される光導波路であって、ヒータ電極層18は光制御部22に対向して形成され、クラッド層14の表面のうち、該ヒータ電極層18近傍にヒートシンク薄膜26を形成して構成する。
請求項（抜粋）：
基板に形成されたクラッド層と、該クラッド層内に形成されたコア層と、該コア層に対向して前記クラッド層の表面に形成されたヒータ電極層とを備える光デバイスにおいて、前記コア層は、光が入力される光入射部と、前記ヒータ電極層からの熱光学効果により屈折率が変化する光制御部と、該光制御部からの光が出力される光出射部とから構成される光導波路であり、前記ヒータ電極層は前記光制御部に対向して形成され、前記クラッド層表面のうち、該ヒータ電極層近傍に少なくともヒートシンクとして機能する薄膜が形成されていることを特徴とする光デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
2H047KA04
, 2H047KB01
, 2H047NA01
, 2H047RA08
, 2H047TA31
, 2K002AA02
, 2K002AB04
, 2K002BA13
, 2K002CA06
, 2K002CA15
, 2K002DA07
, 2K002EA08
, 2K002EB03
, 2K002EB11
, 2K002HA11
