特許

J-GLOBAL ID：200903055198673719

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 江畑 裕介
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-277359
公開番号（公開出願番号）：特開2002-085964
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2002年03月26日
要約：

【要約】【課題】 時間及び費用を削減して、処理効率の向上を図ることができる。【解決手段】 プラズマPによる膜形成プロセスの稼動中に、分布モニタリング部18が試料13の膜厚分布k(x、y)をモニタリングし、モニタリング結果に基づいて、制御部19が、ギャップ分布調整部15を制御して、不均一なギャップ分布g(x、y)を調整するので、予備的な実験・評価を繰り返す必要がない。したがって、本番処理に入るまでの時間、及びコストを低減することができる。また、歩留まりを向上することができる。

請求項（抜粋）：

プラズマにより発生した反応種によって、試料の表面処理を行なうプラズマ処理装置であって、前記反応種による前記試料の表面処理の間に、その表面処理のパラメーター分布をモニタリングするモニタリング手段と、該モニタリング手段のモニタリング結果に基づいて、表面処理の際に発生する前記試料の特性分布を均一にする均一化手段とを具備し、前記均一化手段は、試料の表面上に反応種が充填されるように形成されたギャップの分布を調整するようになっていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 E

Fターム (28件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC01 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075EE12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004CB01 ,  5F045BB02 ,  5F045DP02 ,  5F045EH07 ,  5F045EH13 ,  5F045GB09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-239682   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭60-257516
  
• 特開昭59-094810
  
• 特開昭58-182217