特許
J-GLOBAL ID：200903055198711297
窒化物半導体結晶の成長方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-316315
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172055
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】窒化物半導体の結晶成長を低い温度で行う際に、実用に供するための十分な結晶成長速度と高い原料の使用効率を獲得すると共に、低温成長で問題となる残留不純物の取り込みを低減し、高品質の窒化物半導体結晶の成長方法およびそれを実施する結晶成長装置を提供する。【構成】少なくともIII族元素を含む有機金属化合物および窒素もしくは窒素元素を含む化合物を原料物質として用い、反応容器内に導入して所定の基板表面に窒化物半導体結晶を成長する方法において、活性水素原子と上記原料物質とを同時に反応容器内の基板表面部もしくはその近傍に導入して、III族元素の窒化物からなる半導体結晶を成長する方法およびそれを実施する結晶成長装置。
請求項（抜粋）：
少なくともIII族元素を含む有機金属化合物および窒素もしくは窒素元素を含む化合物を原料物質として用い、反応容器内に導入して所定の基板表面に窒化物半導体結晶を成長する方法において、活性水素原子と上記原料物質とを同時に反応容器内の基板表面部もしくはその近傍に導入して、III族元素の窒化物からなる半導体結晶を成長することを特徴とする窒化物半導体結晶の成長方法。
IPC (2件)：
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