ダイヤモンド薄膜イオンセンサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-198822
公開番号（公開出願番号）：特開平5-018935
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】【目的】絶縁破壊が発生しにくいと共に、耐浸水性が優れたダイヤモンド薄膜イオンセンサを提供することを目的とする。【構成】 Si基板1には電気絶縁性ダイヤモンドからなる絶縁膜2が被覆されており、この絶縁膜2上には半導体ダイヤモンドからなる半導体膜3が形成されている。また、この半導体膜3上には、半導体ダイヤモンドからなる電極4a,4bが相互に離隔して形成されている。更に、基板1の全面には、電気絶縁性ダイヤモンドからなる絶縁膜5が形成されている。この場合に、電極4a,4b間の絶縁膜5がイオン感応膜として作用する。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された電気絶縁性ダイヤモンドからなる絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された半導体ダイヤモンドからなる半導体膜と、この半導体膜上に相互に離隔して形成された第1及び第2の電極と、この第1及び第2の電極間の前記半導体膜上に形成された電気絶縁性ダイヤモンドからなるイオン感応膜とを有することを特徴とするダイヤモンド薄膜イオンセンサ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-033645
特開平2-023639
特開平3-131003

前のページに戻る