特許
J-GLOBAL ID：200903055208896339
半導体装置の接続構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-338013
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152376
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 スクリーン印刷による絶縁層を有するフィルムキャリアに、より一層微細化した電極を有する半導体装置を搭載する。【構成】 フィルムキャリア11は、フィルム基板12の上面にパターン形成された導電層13の上面のうち開口部14を形成すべき開口部形成領域にフォトレジスト層を設け、開口部形成領域以外の領域にスクリーン印刷により絶縁層15を形成し、この後フォトレジスト層を剥離することにより、絶縁層15に開口部形成領域に対応した開口部14が形成され、該開口部14における導電層13上に半田層16が設けられた構造となっている。この場合、微細パターン形成可能なフォトレジスト層の端面で印刷範囲が規制されることにより、例えば開口部14の大きさを100μm、そのピッチを200μm程度とより一層微細化することができる。したがって、より一層微細化した電極を有する半導体装置1をフィルムキャリア11上に搭載することができる。
請求項（抜粋）：
電極上に半田バンプを有する半導体装置と、フィルム基板の上面にパターン形成された導電層の上面のうち絶縁層開口部を形成すべき開口部形成領域内で少なくともその周囲にフォトレジスト層を設け、前記開口部形成領域以外の領域にスクリーン印刷により絶縁層を形成し、この後前記フォトレジスト層を剥離することにより、前記絶縁層に前記開口部形成領域に対応した開口部が形成されたフィルムキャリアとを具備し、前記半導体装置の前記半田バンプを前記フィルムキャリアの前記開口部における前記導体層に接続したことを特徴とする半導体装置の接続構造。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
