特許

J-GLOBAL ID：200903055218422971

MOSFET及びその製造方法

発明者： 沖原 将生 ,  内田 英次
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-016919
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214964
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 ホットキャリアによるトランジスタ特性の劣化を抑え、デバイスの信頼性を向上させるMOSFET及びその製造方法を提供する。【解決手段】 p型シリコン基板1上のNチャネル領域とドレイン近傍で仕事関数の異なる2つの材質を繋ぎ合わせることにより、第1のゲート電極6、第2のゲート電極7を形成し、ドレイン近傍における反転閾値電圧が、チャネル領域の閾値電圧に比べて、仕事関数の差分だけ負方向にシフトするようにした。

請求項（抜粋）：

Nチャネル領域又はPチャネル領域とドレイン近傍で仕事関数の異なる2つの材質を繋ぎ合わせて第1のゲート電極と第2のゲート電極を形成するとともに、前記第2ゲート電極の一部に低濃度拡散ドレイン層の先端が位置することにより、前記ドレイン近傍における反転閾値電圧が、前記チャネル領域の閾値電圧に比べて、仕事関数の差分だけ負方向又は正方向にシフトするようにしたことを特徴とするMOSFET。