反射光防止型半導体レーザダイオード装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：煤孫耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-190957
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037339
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】レンズなどによって反射され戻ってきた戻り光をパッケージ内部で吸収し、外部または出射面へ戻っていくことを防ぎ、光計測機器、光情報処理などの測定の誤差がなくなり信号検出の精度を向上することを実現することである。【構成】ステム(1)の上方部の端面をレーザ出射面に対して斜めに形成すると共に、この端面に凸凹を設けその表面にAR(Anti Reflection)コート施している。片側側面の上側にヒートシンク(2)を固定しその上に半導体レーザーチップ(3)を固定した構造である。また、半導体レーザーチップの発光面上方に内部を封止するためのキャップ(4)と光を出射するガラス窓(5)を有していると共に、発光面の反対側の下方にレーザ出力の光検出用のフォトダイオード(6)を有している。

請求項（抜粋）：

電気を光に変換するレーザチップと、前記レーザチップの放熱をとるヒートシンクと、前記ヒートシンクの放熱のためのステムを有する半導体レーザダイオードにおいて、ステム端面はレーザチップの出射光方向に対して斜面を形成していることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭64-024488
特開昭63-102387
特開平4-255921

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