低温焼成化誘電体セラミックス、積層型誘電体素子、誘電体セラミックスの製造方法および助剤酸化物

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊藤求馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-364641
公開番号（公開出願番号）：特開2002-255646
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：

【要約】【課題】 PZT系誘電体セラミックスを所望の低温で焼成可能とし、かつ母材の性能が損なわれることを防止する。【解決手段】ABO<SB>3 </SB>型の誘電体セラミックス組成を有し、Bサイトを1とした時に、Aサイトに0.9モル比以上の鉛を含有する組成物を主成分とする誘電体セラミックスの原料混合物または仮焼物に、助剤酸化物として、PbOx+(WO<SB>3 </SB>y+MoO<SB>3 </SB>z)ただし、x+y+z=1、0.005<y+z<0.4、y,z≧0を0.05モル%〜20モル%の割合で添加配合し、混合、成形、焼成する。焼成体中のタングステンとモリブデンの合計の含有量は、鉛を1とした時に0.098モル比より小さく、焼成後の密度は7.5g/cm<SP>3 </SP>以上となる。助剤酸化物は仮焼成粉中に分散して、所望の温度で液相を形成して焼成を促進し、低温焼成を可能にする。

請求項（抜粋）：

ABO3 型の誘電体セラミックス組成を有し、Bサイトを1とした時に、Aサイトに0.9モル比以上の鉛を含有する組成物を主成分とするとともに、タングステンおよびモリブデンのうち少なくとも1種を含有し、焼成後の密度が7.5g/cm3 以上で、かつタングステンとモリブデンの合計の含有量が、鉛を1とした時に0.37モル比より小さいことを特徴とする低温焼成化誘電体セラミックス。

IPC (7件)：

C04B 35/495 , H01B 3/12 301 , H01L 41/083 , H01L 41/107 , H01L 41/187 , H01L 41/22 , H01L 41/24

FI (7件)：

H01B 3/12 301 , C04B 35/00 J , H01L 41/18 101 D , H01L 41/08 A , H01L 41/08 S , H01L 41/22 A , H01L 41/22 Z

Fターム (24件)：

4G030AA23 , 4G030AA24 , 4G030AA40 , 4G030BA09 , 4G030CA03 , 4G030CA08 , 4G030GA27 , 5G303AA10 , 5G303AB15 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB18 , 5G303CB21 , 5G303CB25 , 5G303CB32 , 5G303CB35 , 5G303CB37 , 5G303CB39 , 5G303CB40 , 5G303CB43 , 5G303CC03 , 5G303CD01 , 5G303CD04 , 5G303DA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-048505
圧電磁器組成物および圧電磁器の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-034558 出願人：株式会社村田製作所
圧電磁器材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-033605 出願人：株式会社トーキン

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