特許

J-GLOBAL ID：200903055220783507

半導体結晶薄膜の成長装置

発明者： 柴田 知尋 ,  近藤 直人 ,  名西 ▲ヤス▼之 ,  藤本 正友
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 小林 将高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-256009
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067570
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 プラズマスパッタに起因するプラズマ生成室の内壁から成長膜中への不純物の混入を防ぐ。【構成】 ECRによるプラズマ生成室4の内壁をPBNで覆い、プラズマスパッタ時に成長膜中への不純物の混入を防ぐことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

マイクロ波電子サイクロトロン共鳴によってプラズマを生成させるプラズマ生成室と、これに隣接した成長室と、前記マイクロ波電子サイクロトロン共鳴によってプラズマ化した原料気相物質を前記プラズマ成長室内に設置された基板上へ輸送するための発散磁界を発生する電磁石とを備え、さらに、前記プラズマ生成室の内壁をプラズマスパッタされ難い部材で覆ったことを特徴とする半導体結晶薄膜の成長装置。