特許

J-GLOBAL ID：200903055223216026

金属層を有する量子構造を備えたSi系半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： 柴田 典義 ,  谷 由加里
出願人/特許権者： 財団法人ファインセラミックスセンター
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-330804
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133542
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 金属井戸層を有する量子井戸構造を備えたSi系半導体デバイスを得ることができる技術を提供する。【解決手段】 Si系基板110の上にSi系絶縁層120を形成し、さらにその上に、厚みが10nm以下の薄い金属層130を形成する。そして、この金属層130の上に、Si系半導体の単結晶で形成された薄板210を重ね合わせ、600°C未満の比較的低温で熱処理する。この結果、半導体薄板210が基板に強固に接合され、また、薄板210と金属層130との間には薄いSiO2 層210が形成される。

請求項（抜粋）：

量子構造を備えたSi系半導体デバイスの製造方法であって、(a)Si系基板を準備する工程と、(b)前記Si系基板の上に、Si系絶縁層を形成する工程と、(c)前記Si系絶縁層の上に、厚みが10nm以下の金属層を形成する工程と、(d)前記金属層の上に、Si系半導体の単結晶で形成された半導体薄板を重ね合わせることによって、重ね合わせ基板を作成する工程と、(e)前記重ね合わせ基板を熱処理することによって、前記金属層と前記半導体薄板とを接合するとともに、前記金属層と前記半導体薄板との境界にSiO2 層を形成する工程と、を備えることを特徴とするSi系半導体デバイスの製造方法の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/06 601 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/02 ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/66

FI (6件)：

H01L 29/06 601 W ,  H01L 29/06 601 D ,  H01L 29/06 601 L ,  H01L 21/02 B ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/66 T