特許

J-GLOBAL ID：200903055230343068

半導体記憶装置

発明者： 寺田 康 ,  中山 武志 ,  小林 真一 ,  宮脇 好和 ,  二ツ谷 知士
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232872
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075074
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 消去時に、非選択のワード線を接地電位に保ち、放電による誤動作を防止する。【構成】 各メモリトランジスタ301、302、・・・のソースが共通のワード線を用いて形成されたソース線トランジスタ201を介してアルミ配線で形成されたソース線17に接続された構造であって、消去時に、消去すべきメモリセル301が接続されたワード線W1に負の高電圧を印加し、該メモリセル301とソースを共有するメモリセル302のワード線に正の電圧を印加し、ソース線17に正の電圧を印加し、それ以外のワード線W2を接地することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。【効果】 消去時に非選択のワード線を接地電位に保っておくので消費電力が少ない。

請求項（抜粋）：

以下の要素を有する半導体記憶装置(a)少なくともソースを有するメモリセル、(b)上記メモリセルに使用されるソース線、(c)上記メモリセルのソースと上記ソース線の間に設けられたソース線トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-005470
  
• 特開平4-350968