特許

J-GLOBAL ID：200903055234302951

窒化物半導体基板及びそれを用いた素子

発明者： 森田 大介
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080286
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277803
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【目的】 素子構造を構成する各層を成長させるための良好な基板を提供し、素子特性を向上させることである。【構成】 下地層を成長させるための基板が、下地層を有しており、下地層が、低温バッファ層の上にp型不純物をドープした窒化物半導体層を成長させているため、従来厚膜に成長することでも解決できなかった、鏡面でウェーハ全体に均一な窒化物半導体基板表面を形成でき、良好な素子が得られる。また、素子を構成する窒化物半導体にAlGaN層を有する場合には、p-n接合部の結晶性が大幅に改善し、良好な素子特性を有するものとなる。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に下地層を有し、該下地層が窒化物半導体からなり多結晶を含むバッファ層と、その上にp型不純物をドープした第1の窒化物半導体層とを少なくとも有することを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 673 ,  H01L 31/04 E

Fターム (52件)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045EB15 ,  5F045HA16 ,  5F051AA08 ,  5F051CB08 ,  5F051CB18 ,  5F051CB29 ,  5F051GA04 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-034133   出願人：日亜化学工業株式会社
• AlInGaN系半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-074220   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-235014   出願人：ローム株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-036250   出願人：日亜化学工業株式会社