特許
J-GLOBAL ID:200903055237263868
投影光学系の検査方法、及び検査用のマスク基板
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-314235
公開番号(公開出願番号):特開平5-152184
出願日: 1991年11月28日
公開日(公表日): 1993年06月18日
要約:
【要約】【目的】 テストレチクル等に形成される評価用パターン(マーク)の線幅を高精度化し、投影光学系の光学特性の評価を安定なものにする。【構成】 設計上で理想線幅値となっているマークに対して微小量ずつ線幅を大小変化させたマークを同一のレチクル上にいっしょに形成し、完成後のレチクル上で理想線幅値に最も近い1つのマークを選ぶ。
請求項(抜粋):
マスク基板上の所定線幅のマークの像を、検査すべき投影光学系を介して感光基板に所定の光学特性で投影露光した後、該感光基板上に形成されたマーク像を評価することによって前記投影光学系の光学特性を検査する方法において、前記マークの設計上の理想線幅値を中心として前記投影光学系の解像力以下の範囲内で段階的に線幅値を大小変化させた複数本のマークの集合体を、所定の線幅制御規格を有するマスク作成装置によってマスク基板上に形成する工程と;該マスク基板に形成された前記複数本のマークの夫々の線幅を測定し、前記設計上の理想線幅値に最も近い1つのマークを選択して記録する工程と;該マスク基板のマークを前記感光基板に投影露光して投影されたマーク像を評価する際、前記記録された1つのマークについての像の評価結果に基づいて前記光学特性を検査する工程とを含むことを特徴とする投影光学系の検査方法。
IPC (3件):
H01L 21/027
, G03F 1/08
, H01L 21/66
FI (2件):
H01L 21/30 301 V
, H01L 21/30 311 L
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平2-157844
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特開平2-065151
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特開平2-116848
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