遠隔プラズマ放電室を有する半導体処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-129888
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323467
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】破損し難い材料からなる遠隔プラズマ放電室と共に、イオン衝撃のない反応炉クリーニング技術を提供する。【解決手段】反応炉2と、反応炉から遠隔配置された遠隔プラズマ放電室13とを配管14で連結し、遠隔プラズマ放電室のプラズマ放電エネルギーでクリーニングガスを活性化し、配管により活性化クリーニングガスを反応炉内に導入し、CVD法による成膜処理に伴い反応炉内に付着した固体物質を気化させて、反応炉内をクリーニングする。遠隔プラズマ放電室で所定周波数の高周波発振出力エネルギーにより活性種が生成され、配管は活性種に対し耐食性材料から作製され、400kHzの高周波発振出力を使用したので、遠隔プラズマ放電室は陽極酸化されたAl合金で製造できた。従ってマイクロ波出力を用いた場合必要なサファイヤや石英は不要となり、破損の危険性や活性種による消耗が回避された。

請求項（抜粋）：

反応炉と,前記反応炉から遠隔配置された遠隔プラズマ放電室と,前記反応炉と前記遠隔プラズマ放電室を連結する配管とを有し,前記遠隔プラズマ放電室のプラズマ放電エネルギーによりクリーニングガスを活性化し,前記配管を通じて活性化された前記クリーニングガスを前記反応炉内に導入し,膜形成処理に伴い前記反応炉内に付着した固体物質を気体物質へと変化させ,前記反応炉内をクリーニングする基板処理装置において,前記遠隔プラズマ放電室は所定の周波数の高周波発振出力エネルギーによって活性種を生成し,前記配管は前記活性種により侵食されない材料から作られている,ことを特徴とする装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 J , H05H 1/46 L , H01L 21/302 N

Fターム (49件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030DA06 , 4K030FA03 , 4K030JA18 , 4K030KA17 , 4K030KA30 , 4K030KA45 , 4K030KA46 , 5F004AA14 , 5F004AA15 , 5F004BA03 , 5F004BA04 , 5F004BB18 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BB30 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA17 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F045AA08 , 5F045AB30 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB39 , 5F045AB40 , 5F045AC02 , 5F045AC11 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AF03 , 5F045BB15 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EB06 , 5F045EE06 , 5F045EF05 , 5F045EH14 , 5F045EH18 , 5F045EK07

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