特許
J-GLOBAL ID：200903055244266805

高密度フッ化物焼結体およびその製造方法並びにそれを用いた半導体製造装置用部材

発明者：
松之迫 等

松之迫 等 について

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伊東 裕見子

伊東 裕見子 について

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松本 秀美

松本 秀美 について

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高坂 祥二

高坂 祥二 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-260446
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086344
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：
【要約】【課題】耐食性に優れた高密度フッ化物焼結体およびパーティクルの発生を抑制しうる高密度フッ化物焼結体およびその製造方法並びにそれを用いた半導体製造装置用部材を提供する。【解決手段】Mg、Ca、SrおよびBaの群から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属の高密度フッ化物焼結体であって、前記アルカリ土類金属以外の金属元素の総量が金属換算で100ppm以下、平均粒径が30μm以下、かつ相対密度95%以上とする。
請求項（抜粋）：
Mg、Ca、SrおよびBaの群から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属のフッ化物からなり、前記アルカリ土類金属以外の金属元素の総量が金属換算で100ppm以下、前記フッ化物の結晶粒子の平均粒径が30μm以下であり、かつ相対密度が95%以上であることを特徴とする高密度フッ化物焼結体。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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