特許
J-GLOBAL ID：200903055249850122
黒鉛構造炭素又はその層間化合物およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-030702
公開番号（公開出願番号）：特開平5-058613
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年03月09日
要約：
【要約】【目的】 結晶性の高い黒鉛構造炭素をより低い基板温度で生成し、又、層状構造の黒鉛の層間に挿入種が挿入されてなる黒鉛層間化合物の製造方法において、挿入種を挿入し、かつ挿入種層を黒鉛層の何層おきに挿入するかという挿入種層の周期性を制御するための新規な製造方法を提供する。【構成】 挿入種の蒸気雰囲気中で、炭化水素又は炭化水素化合物を原料とした低温熱CVD法により、熱分解黒鉛又は熱分解炭素の成長過程で挿入種を挿入する。此の際、新規な挿入種としてセレン,レルル,ビスマス,ゲルマニウム,シリコン及び鉄又は銅の酸化物の黒鉛の層間への挿入が可能になる。又、此のとき、挿入種原料供給量並びに炭化水素濃度制御により、挿入種層を黒鉛層の何層おきに挿入するかという挿入種層の周期性が制御できる。
請求項（抜粋）：
炭化水素化合物ガスの分解領域A、基板を設けた生成物堆積領域B、および任意に設けられる挿入種ガスの発生領域Cを具備した装置で、領域Bの温度を領域Aの温度より少なくとも50°C以上好ましくは100°C以上低い温度に設定しながら、黒鉛構造炭素又はその層間化合物の基板への堆積を行うことからなる黒鉛構造炭素又はその層間化合物の製造方法。
IPC (2件)：
C01B 31/04 102
, C01B 31/04 101
