特許

J-GLOBAL ID：200903055253465055

アモルファスシリコン太陽電池とその製造方法

発明者： 永沢 健
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-021535
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223724
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 テクスチャー構造を有するSnO2透明電極の使用は、入射光の利用効率を向上し電流出力の向上に有効な手段である。しかしながら、前記SnO2電極はその製法が一般的なITO電極膜に比べ特殊なため高価である、反応温度が高温である等の問題がある。【解決手段】 本発明では、使用するガラス基板表面に半球状のディンプルを形成し、この上に電極膜、アモルファスシリコン膜を積層することを特徴とする。前途ディンプルを形成することにより、基板面積に対する実効的な太陽電池の表面積が増大し電流出力が向上する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板、透明導電膜、アモルファスシリコン膜、および金属電極膜から構成されるアモルファスシリコン太陽電池において、半球状のディンプル形状を表面に有するガラス基板を用い、ディンプル形状を有する面の上に形成されることを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池。

Fターム (4件)：

5F051AA05 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5F051GA11