特許

J-GLOBAL ID：200903055262526075

CMP研磨剤及び基板の研磨方法

発明者： 山本 靖浩
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197277
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017447
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 研磨速度の面内バラツキを低減し、研磨傷を発生させずに高速研磨して、高平坦化された基板を得ることが可能な、CMP研磨剤及び基板の研磨方法を提供する。【解決手段】 酸化セリウム粒子、水溶性高分子、水溶性有機フッ素化合物及び水を含む表面張力が5mN/m以上50mN/m以下であるCMP研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、基板表面を研磨する。

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子、水溶性高分子、水溶性有機フッ素化合物及び水を含む表面張力が5mN/m以上50mN/m以下であるCMP研磨剤。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (5件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17