特許
J-GLOBAL ID：200903055265995580
シリコン太陽電池素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035052
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235385
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 太陽電池素子のセルの厚さを適切に選び効率を向上させる。【構成】 P型シリコン基板4の表面にN+ 拡散層3を設けテキスチャー構造7とする。裏面にBSFR層となるP+ 拡散層5と酸化膜8とP側電極6を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に反射を低減させる構造を有する受光面を設け、半導体基板の裏面に酸化膜を形成し、セルの厚さを60μm以上でかつ150μm以下としたことを特徴とするシリコン太陽電池素子。
引用特許：
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