特許
J-GLOBAL ID：200903055269165108
多層回路基板の隣接回路基板層間の電気的相互接続形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-502035
公開番号（公開出願番号）：特表平8-510868
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】多層回路基板は隣接回路基板層間を電気的に相互接続される。回路基板層には通路孔が設けられ、この通路孔は通路メタルによって満たされる。この通路孔は低融点メタルによってメッキされる。粘着性のフィルムが回路基板層に蒸着形成される。多層回路基板の隣接層は重ねられ、整列され、加熱、加圧下で積層化される。低融点メタルは隣接回路基板層の間に電気的相互接続を形成する。
請求項（抜粋）：
第一回路基板層の第一面上にトレースメタルを蒸着形成する過程と、 この第一回路基板層の第一面と第二面との間に前記トレースメタルまで伸びる通路孔を形成する過程と、 前記第一回路基板層の第二面上の通路孔から外に向かう隆起部を形成するように、通路孔に通路メタルを蒸着形成する過程と、 第二回路基板層の第一面に電気接触子を蒸着形成する過程と、 第一及び第二の回路基板層の間に粘着剤が介在し、かつ第二回路基板層の電気接触子が、第一回路基板層の通路に全体として揃うようにして第一回路基板層と第二回路基板層を整列させる過程と、 第一回路基板層の通路メタルが第二基板層の電気接触子に電気的に接触するように第一回路基板層を第二回路基板層に重ね合わせて積層化する過程と、を備えることを特徴とする多層相互接続を形成する方法。
FI (3件)：
H05K 3/46 G
, H05K 3/46 E
, H05K 3/46 N
