特許

J-GLOBAL ID：200903055272914600

誘電体薄膜の製造方法および装置

発明者： 林 重徳 ,  飯島 賢二 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-215816
公開番号（公開出願番号）：特開平6-057411
出願日： 1992年08月13日
公開日（公表日）： 1994年03月01日
要約：

【要約】【目的】 ペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜を、各種基板上に導電性被膜を介して合成する方法および装置を提供する。【構成】 誘電体薄膜形成装置に接続された形成槽内において、基板15上に直接、あるいは、緩衝層16を介して、導電性被膜17を形成する。引続き、あるいは、下地誘電体層18を形成した後、ペロブスカイト型酸化物誘電体薄19を形成する。

請求項（抜粋）：

ABO3で構成されるペロブスカイト型複合化合物に対し、真空槽内において、少なくとも1種の導電性被膜を基板上に形成したのち、その真空雰囲気を破ることなく、連続して基板上に堆積させることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。ここで、Aサイトは、Pb、Ba、SrまたはLaの少なくとも1種、Bサイトは、TiおよびZrのうち少なくとも1種の元素を含む。

IPC (2件)：

C23C 14/08 ,  H01L 27/04