発光ダイオード及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245581
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090633
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】プラスチックファイバ用の通信用発光ダイオードを安価に提供する。【構成】GaAs基板8上にメサ部10をホトリソグラフにより形成する。メサ部10を形成した基板8上にスライドボート法によりpn接合を構成するエピタキシャル層を成長させる。液相エピタキシャル成長法では、成長しようとする表面に凹凸があると、エピタキシャル層は凹部に成長しようとする。このため、第1層のn型GaAs電流阻止層7はメサ部10の無い部分にのみ成長する。続けて、第2層のp型GaAlAsクラッド層6、第3層のp型GaAlAs活性層5、第4層のn型GaAlAsクラッド層4、第5層のn型GaAsコンタクト層2を成長する。成長終了後、蒸着とホトリソグラフによりウェハの裏面にp側電極9を、表面にn側電極1を形成する。

請求項（抜粋）：

裏面に全面電極を設けた基板上にpn接合層を形成し、その表面に中央に穴の開いた周囲電極を設け、その周囲電極の穴から接合面に垂直方向の光を取り出す面発光型の発光ダイオードにおいて、前記基板上に電流阻止層、活性層、クラッド層を順次設け、前記周囲電極の穴に対応する基板上に、基板から電流阻止層を貫いて前記活性層に達するメサ部を設けたことを特長とする発光ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-226674
特開昭59-063781
特開昭64-021990

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