特許
J-GLOBAL ID：200903055290205861
電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西山 善章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-224384
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153945
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、改良型静電放電(ESD)保護手段を備えた電界効果トランジスタを与える。【構成】 本電界効果トランジスタはソース30、ゲート電極下側のチャンネル46、およびドレーン28を有する。このドレーンは、ドレーンの幅にわたって延び、かつ二つの他のドレーン小領域を分離する、軽くドーピングされたバラスト抵抗器36を含む。一方のドレーン小領域38はバラスト抵抗器とチャンネルとの間に位置し、他方のドレーン小領域40はバラスト抵抗器の反対側にあり、外部デバイスに接続される。このバラスト抵抗器はESDパルスが持続する期間中、電流をドレーンの幅に沿って横方向に分布させることにより、局所的ピーク電流密度を低下させ、トランジスタの損傷を低減する。
請求項（抜粋）：
改善された静電放電保護手段を備えた電界効果トランジスタであって、該トランジスタが第一ドーパント型ソース領域と、ゲート電極下側に設けた第二ドーパント型チャンネル領域と、該チャンネル領域によって該ソース領域から分離された該第一ドーパント型ドレーン領域とを含み、該ドレーン領域が第二および第三ドレーン小領域を分離するバラスト領域を含み、該第二ドレーン小領域が該バラスト領域と該チャンネルとの間に配置され、該第三ドレーン小領域が該トランジスタの外部デバイスに接続されており、該バラスト領域が該第一および第二ドレーン領域の抵抗値よりも大きな抵抗値を有することにより、該チャンネル領域と信号接続点との間に流れる電流を横方向に分布させることを特徴とする電界効果トランジスタ。
引用特許：
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