特許

J-GLOBAL ID：200903055290601775

基板を処理するための装置

発明者： ヴォルフガング クレーバー
出願人/特許権者： ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-606035
公開番号（公開出願番号）：特表2002-539334
出願日： 2000年03月08日
公開日（公表日）： 2002年11月19日
要約：

【要約】基板、特に半導体ウェーハを処理するための装置であって、1つの開口を有する少なくとも1つのプロセス容器が設けられていて、該開口が処理の間、基板によって外部から閉鎖可能である形式のものにおいて、第1のプロセス容器に対して隣接して第2のプロセス容器が設けられており、該第2のプロセス容器の壁が、少なくとも部分的に、第1のプロセス容器の、前記開口を有する容器壁であり、前記開口が、第1のプロセス容器の側から閉鎖可能であることによって、処理したい基板表面の簡単でかつ均一な処理と、連続する処理ステップの間での損傷の危険の低減とが達成される。

請求項（抜粋）：

基板(31)、特に半導体ウェーハを処理するための装置(1)であって、少なくとも1つの開口(29)を有する第1のプロセス容器(2)が設けられていて、前記開口(29)が基板(31)によって外部から閉鎖可能である形式のものにおいて、第1のプロセス容器(2)に対して隣接して第2のプロセス容器(60)が設けられており、該第2のプロセス容器(60)の壁(9)が、少なくとも部分的に、第1のプロセス容器(2)の、前記開口(29)を有する容器壁(9)であり、前記開口(29)が、第1のプロセス容器(2)の側から閉鎖可能であることを特徴とする、基板を処理するための装置。

IPC (3件)：

C25D 17/00 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/08

FI (4件)：

C25D 17/00 E ,  C25D 17/00 J ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/08 Q

Fターム (10件)：

4K024BB12 ,  4K024CB01 ,  4K024CB02 ,  4K024CB06 ,  4K024CB08 ,  4K024CB09 ,  4K024CB13 ,  4K024CB18 ,  4K024CB26 ,  4K024DA04