半導体発光装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-202749
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038147
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】光取り出し効率が高く、かつ生産性が優れた半導体発光装置を提供することを目的とする。【構成】 p-GaAlAsクラッド層2、n-GaAlAsクラッド層4、これらのクラッド層2、4間に配置したp-GaAlAs活性層3、下部電極5、上部電極10及び光取り出し面9から構成された半導体発光装置1において、下部電極5を、格子状とし、その電極の隙間部分7の距離をn-GaAlAsクラッド層4での電流の横方向拡散距離より小さくなるようにして、そこにSiO2 膜を形成した。

請求項（抜粋）：

伝導型の異なる半導体結晶層で活性層を挟み込むように接合した複数の半導体結晶層の上部と下部とに電極を形成し、前記活性層の上部の対向面に前記活性層からの出射光を外部へ出射する光取り出し面を形成すると共に、前記下部電極を前記活性層の下部の対向面に配置した面発光型半導体発光装置において、前記下部電極と前記活性層との間の前記半導体結晶層を、電流の横方向拡散距離が大となるn型層で形成し、前記下部電極を、前記n型層を流れる電流の横方向拡散距離より小となるような隙間部分をもつ構造とすると共に、この隙間部分に反射部材を形成したことを特徴とする半導体発光装置

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