半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-002529
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214566
出願日： 2003年01月08日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】膜間の剥離を防止し、半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】配線20のバリア絶縁膜として炭化シリコン膜、炭窒化シリコン膜または酸炭化シリコン膜からなる絶縁膜21を形成した後、その上に低誘電率絶縁膜としてフッ素を含む酸化シリコン膜からなる絶縁膜22を高密度プラズマCVD法を用いて形成する。絶縁膜22を成膜する際、半導体基板を所定の成膜温度に昇温させるためのヒートアッププラズマとして、アルゴンプラズマのような酸素を含まないガスを用いたプラズマを用いる。半導体基板の温度が所定の成膜温度に達した後、絶縁膜22の成膜用のガスを成膜装置の成膜室に導入して、絶縁膜21上に絶縁膜22を成膜する。これにより、絶縁膜21表面の酸化を抑制し、絶縁膜21と絶縁膜22の間の接着性を向上できる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板を準備する工程、 (b)前記半導体基板上に、シリコンと炭素とを含む材料からなる第1絶縁膜を形成する工程、 (c)前記第1絶縁膜上にフッ素を含む酸化シリコンからなる第2絶縁膜を形成する工程、を有し、前記(c)工程では、酸素を含まないガスを用いたプラズマにより、前記半導体基板を前記第2絶縁膜の成膜温度に加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/768 , H01L21/314

FI (3件)：

H01L21/90 J , H01L21/314 M , H01L21/90 P

Fターム (98件)：

5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK23 , 5F033KK25 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM07 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ04 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS02 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033TT08 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX12 , 5F033XX14 , 5F033XX20 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F033XX28 , 5F058BD01 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD15 , 5F058BD19 , 5F058BF07 , 5F058BJ02

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