特許
J-GLOBAL ID：200903055297863481
原子ガスから材料層を形成する方法と装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-039991
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311893
出願日： 2000年02月17日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 均一な厚さでニ酸化ケイ素より優れた信頼性とバリヤ拡散特性を有する改良されたMOSゲート誘電体成膜を可能にするウエハ処理の方法と装置を提供する。【解決手段】 加熱機構31上に置かれたウエハ32に反応ガスを600°C〜650°Cの低温で作用させるCVDチャンバー13に原子ガスソース15からパイプ17、入口25を通じて窒素原子又は酸素原子状態に活性化したガスを供給する。原子ガスソース15は、マクネトロンヘッド37、マイクロ波アプリケータ41により分子ガスソース33に作用して窒素又は酸素を原子化する。空間的にガス原子を隔てるために、不活性ガスを用いて原子ガスが希釈されてもよい。
請求項（抜粋）：
基板上へ材料層を形成する方法であって:材料層が上へ堆積される基板を提供することと;前記基板の温度を高めることと;原子ガスのソースを提供することと;原子ガスを、前記原子ガスのソースから、前記温度を高められた基板へ移送することと;前記原子ガスで前記基板上へ材料層を形成することと;を含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 C
, C23C 16/452
