シリコンウエハのエッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074167
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269181
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】確実にエッチングが行われ,未エッチングやエッチング不足による不具合が生じ難いシリコンウエハのエッチング方法を提供すること。【解決手段】 P層11とN層12と両層の間のPN界面13とよりなり,該P層11側の一部領域にエッチングマスク110が施されたシリコンウエハ1を準備し,上記シリコンウエハ1をエッチング液19中に配置し,正電圧を印加することなく上記P層11を上記PN界面13近傍までエッチングした後,上記P層11に正電圧を印加することによりエッチング深さを調整し,その後エッチングの終了処理を行なう。

請求項（抜粋）：

P層とN層と両層の間のPN界面とよりなり,該P層側の一部領域にエッチングマスクが施されたシリコンウエハを準備し,上記シリコンウエハをエッチング液中に配置し,正電圧を印加することなく上記P層を上記PN界面近傍までエッチングする第1の工程と,上記P層に正電圧を印加することによりエッチング深さを調整し,その後エッチングの終了処理を行なう第2の工程とを有することを特徴とするシリコンウエハのエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3063 , H01L 21/306 , H01L 29/84

FI (3件)：

H01L 21/306 L , H01L 29/84 B , H01L 21/306 U

Fターム (19件)：

4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA01 , 4M112DA04 , 4M112DA17 , 4M112EA02 , 5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043DD07 , 5F043DD10 , 5F043DD14 , 5F043DD23 , 5F043DD26 , 5F043EE10 , 5F043EE15 , 5F043EE16 , 5F043EE40 , 5F043FF10 , 5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-014223
特開昭61-030038
特開昭61-137330

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審査官引用 (10件)

特開平4-014223
特開平4-014223
特開昭61-030038

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