特許

J-GLOBAL ID：200903055298710840

BGA半導体パッケージ

発明者： 梶原 良一 ,  小泉 正博 ,  守田 俊章 ,  高橋 和弥 ,  西村 朝雄 ,  坪崎 邦宏 ,  秋山 雪治 ,  木本 良輔
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-296680
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135562
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】半田ボール搭載によるバンプ形成法では、バンプピッチが狭くなって開口径が小さくなると、半田ボールと開口部底部の配線導体面の接触が保てなくなりバンプ形成が困難となる。【解決手段】開口部底部の配線導体を開口部内に押出し加工してパッケージ基板の裏面近くまで開口部底部を盛り上げ、必ず半田ボールが開口部内の配線導体に接触できる構造とする。このとき、配線導体には半田が濡れ広がる必要があるため最表面にAuめっきを施した。【効果】狭バンプピッチ・小開口径のμBGAパッケージを、片面配線テープ基板を用いて製造可能なため、低価格化可能である。また、半田ボールサイズを開口径に関係なく大きな径もの使用できるため半田バンプ高さを高くでき、また配線導体と半田の接合界面の面積を増加できるため、半田バンプの実装信頼性を向上できる。

請求項（抜粋）：

半導体チップと有機絶縁基板とを含み、外部接続端子が半田バンプで構成される半導体パッケージにおいて、有機絶縁基板に半田バンプ形成用の導体ランドが形成され、ランドの裏側に位置する有機絶縁基板に開口部が形成され、開口部内に盛り上がる形状で導体部が形成されていることを特徴とするBGA半導体パッケージ。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 301 A