特許
J-GLOBAL ID：200903055301748820
マスクのデバイスパターンの補正方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-350317
公開番号（公開出願番号）：特開2002-156741
出願日： 2000年11月16日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：
【要約】【課題】 ウエハ上の露光パターンを高精度で且つ迅速にシミュレーションすることができると共に、デバイスパターンを高精度で補正することができるマスクのデバイスパターンの補正方法を提供する。【解決手段】 レベンソン位相シフトマスク4を投影露光し、このレベンソン位相シフトマスク4を透過した光の強度分布をCCDカメラ6により検出し、CCDカメラ6上のデフォーカス量と、光学的パターン寸法との関係を求める。そして、この関係に基づいて、位相差異常及び透過率差異常を検出し、レベンソン位相シフトマスク4のデバイスパターンを補正する。補正に際し、シフター部における側壁が遮光膜端部から後退する側壁後退量と、透過率差との関係を求め、この関係から透過率差が0となる側壁後退量を求め、マスクのデバイスパターンを補正する。
請求項（抜粋）：
透明基板上に遮光膜に覆われていない部分としてデバイスのパターンが形成され、前記パターンは前記透明基板が薄い部分のシフター部と、前記透明基板が厚い部分の非シフター部とが隣接するように形成されたものであるレベンソン位相シフトマスクの前記パターンを補正する方法において、前記レベンソン位相シフトマスクはシフター部の透明基板のみに実質的に溝部が形成されたシングルトレンチ構造のものであって、1辺長が等寸の正方形のシフター部及び非シフター部が所定ピッチで格子状に交互に配列した形状を有し、前記レベンソン位相シフトマスクを光照射し、透過した光の強度分布を光電変換素子アレイにより、この光電変換素子アレイにおける前記光のデフォーカス量を複数設定して測定し、前記デフォーカス量と前記光電変換素子アレイにより検出された光学的パターン寸法との関係から、前記レベンソン位相シフトマスクの位相差異常及び/又は透過率差異常を検出し、前記シフター部においてその溝の側壁が前記遮光膜のパターンの端部から後退する側壁後退量と透過率差との間の側壁後退量関係及び/又は前記シフター部における底面の深さと位相差との間の底面深さ関係を予め求めておき、この関係を使用して、前記透過率差異常が発生した場合に、この透過率差が0になる側壁後退量を前記側壁後退量関係から求めて前記シフター部における側壁後退量を調節することにより、また、前記位相差異常が発生した場合に、この位相差が180°になる底面深さを前記底面深さ関係から求めて前記シフター部における底面の深さを調節することにより、前記レベンソン位相シフトマスクのパターンを補正することを特徴とするマスクのデバイスパターンの補正方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G03F 1/08 T
, G03F 1/08 A
, G03F 1/08 S
, H01L 21/30 502 P
2H095BB03
, 2H095BB14
, 2H095BD03
, 2H095BD31
, 2H095BD38
