特許

J-GLOBAL ID：200903055302630504

結晶欠陥計測装置及びそれを用いた半導体製造装置

発明者： 武田 一男 ,  平岩 篤 ,  伊藤 嘉敏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-200672
公開番号（公開出願番号）：特開平7-055702
出願日： 1993年08月12日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 半導体デバイスの不良の原因となる結晶欠陥を結晶表面上の異物と区別して、また、欠陥の結晶内における深さ位置とサイズを高感度に計測する。【構成】 コヒーレントなレーザ光1をプリズム50で2つに分け、一方の光を結晶試料3に照射し、他方の光を振動するミラー2で周波数変調し、参照光とする。試料3表面からの反射光は偏光板51で除去し、欠陥からの散乱光と周波数変調した参照光とを干渉させて変調周波数と等しい周波数成分のみをロックインアンプ18で増幅し、その強度と位相とを試料3位置のデータと共に欠陥ごとに記録する。また、試料移動用ステージ16で試料3の高さを変えて同様の計測を行い、各欠陥からの散乱光強度の深さ方向のプロファイルを求めて欠陥周囲の屈折率を導出する。

請求項（抜粋）：

結晶表面もしくは結晶内に存在する欠陥を検出する結晶欠陥計測装置において、上記欠陥周囲の屈折率を測定することを特徴とする結晶欠陥計測装置。

IPC (5件)：

G01N 21/45 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/21 ,  G01N 21/41 ,  H01L 21/66