特許

J-GLOBAL ID：200903055303144506

絶縁膜の形成方法

発明者： 中野 正 ,  佐藤 伸良 ,  徳永 恭二
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-331453
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193061
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 耐水性に優れていることは勿論のこと、ステップカバレッジ特性が十分に向上された絶縁膜を簡単且つ効率よく形成する方法を提供する。【構成】 シリコン基板1上に、PSG膜2を介して配線パターン6を形成した後、全面に、一般式、(SiNX HY )n で表されるポリヒドロシラザン溶液を塗布し、次いで、不活性ガス雰囲気中で、前記ポリヒドロシラザン溶液を加熱・硬化し、SiN膜7を得る。

請求項（抜粋）：

半導体装置に使用される絶縁膜の形成方法であって、所望のパターンが形成された半導体基板上に、一般式、(SiNX HY )n で表されるポリヒドロシラザン溶液を塗布した後、不活性ガス雰囲気中で、前記ポリヒドロシラザン溶液を加熱・硬化する工程を含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768