特許
J-GLOBAL ID:200903055304550192

ダミーウエハー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 植木 久一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-121367
公開番号(公開出願番号):特開平8-316283
出願日: 1995年05月19日
公開日(公表日): 1996年11月29日
要約:
【要約】【目的】 半導体デバイスの製造工程で用いられる検査用のダミーウエハーであって、シリコンウエハーよりも耐エッチング性に優れていると共に、基板として要求される鏡面性や平坦度に優れ、さらには製造プロセスにおいて汚染源とならない様なダミーウエハーを提供する。【構成】 ガラス状カーボンからなることを特徴としており、少なくとも片面が鏡面研磨され、研磨された面の表面粗さがRa0.005μm以下のものを用いることが好ましい。本発明のダミーウエハーはCVD成膜による膜厚のモニター用として優れた特性を有するが、上記固有電気抵抗値が、0.1Ω・cm以上である上記ダミーウエハーを用いることにより、スパッタリング成膜による膜厚のモニター用や清浄度確認用のダミーウエハーとしても優れた特性を発揮する。
請求項(抜粋):
半導体デバイスの製造工程で用いられる検査用のダミーウエハーであって、ガラス状カーボンからなることを特徴とするダミーウエハー。
IPC (4件):
H01L 21/66 ,  C01B 31/02 101 ,  C04B 35/52 ,  H01L 21/02
FI (5件):
H01L 21/66 Z ,  C01B 31/02 101 A ,  H01L 21/02 B ,  C04B 35/52 A ,  C04B 35/52 G

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