特許

J-GLOBAL ID：200903055305631137

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 山 村 俊 雄 ,  中 井 弘 人 ,  浅 野 正 通 ,  加 藤 秀 雄 ,  徳 重 芳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132006
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060674
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 確実な書き込みまでの時間を短縮させた不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】 書き込みパルスにより不揮発性メモリセル(418)にデータの書込みを行う書込み部(203,205)と、書込んだ前記メモリセルの内容を読出す読出し部(419)と、書込みの都度前記読出し手段により読出しを行い、確実に書込みが行われていることを確認するベリファイ動作を行うベリファイ部(207,210)とを備えた不揮発性半導体記憶装置は正常な書き込みがベリファイ部によって確認されるまで書き込みを繰り返す。この際、書き込み部によって書き込み時間を変化させることが可能となっており、前記ベリファイ手段で正常な書き込みが行われていることが確認されない限り書き込みを繰り返す一連のシーケンス中の少なくとも一部に今回の書込み時間より次回の書込み時間を長く設定する。この設定は一定の比、一定の差、累積値が一定の比などで行われる。

請求項（抜粋）：

書き込みパルスにより不揮発性メモリセルにデータの書込みを行う書込み手段と、書込んだ前記メモリセルの内容を読出す読出し手段と、書込みの都度前記読出し手段により読出しを行い、確実に書込みが行われていることを確認するベリファイ動作を行うベリファイ手段とを備え、前記書き込み手段は、書き込み時間を変化させることができるものであり、前記ベリファイ手段で正常な書き込みが行われていることが確認されない限り書き込みを繰り返す一連のシーケンス中の少なくとも一部に今回の書込み時間より次回の書込み時間が長く設定されたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

G11C 17/00 309 A ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭56-114199
  
• 特開平4-003396
  
• 特開平3-295098
  
• 特開昭62-008397
  
• 特開平2-146190