特許
J-GLOBAL ID：200903055309602247
パターン形状評価方法、評価装置、及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
作田 康夫
, 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-222737
公開番号（公開出願番号）：特開2006-038779
出願日： 2004年07月30日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】微細ラインパターン上のエッジラフネスのうち、デバイスの作成上あるいは材料やプロセスの解析上特に評価が必要となる空間周波数の成分を抽出し、指標で表す。【解決手段】エッジラフネスのデータは十分長い領域に渡って取得し、パワースペクトル上で操作者が設定した空間周波数領域に対応する成分を積算し、測長SEM上で表示する。または、十分長い領域のエッジラフネスデータを分割し、統計処理と理論計算によるフィッティングを行って、任意の検査領域に対応する長周期ラフネスと短周期ラフネスを算出し測長SEM上で表示する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
被測定物に荷電粒子線を照射しながら走査して、被測定物から放出される二次電子または反射電子を検出して、その強度の2次元分布を濃淡画像化する工程と、
前記画像内の評価対象パターンの境界となる点の位置を、基準直線に沿って一定間隔で計測して、パターンエッジの系列データを生成する工程と、
前記系列データをフーリエ変換する工程と、
特定の周波数領域の指定入力、または予め設定された特定の周波数領域に従い、前記特定の領域の周波数に対するフーリエ係数の絶対値の二乗の値を全て足し合わせて合計値を算出する工程と、及び
前記評価対象パターン形状の特徴を表す指標として、前記合計値、前記合計値の平方根、前記合計値の平方根の2倍、前記合計値の平方根の3倍、および前記合計値の平方根の6倍の少なくとも一つ以上の値を表示する工程とを含むことを特徴とするパターン形状評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
2F067AA21
, 2F067AA54
, 2F067AA62
, 2F067CC17
, 2F067EE03
, 2F067HH06
, 2F067JJ05
, 2F067KK04
, 2F067KK08
, 2F067RR35
, 2F067RR41
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DJ11
, 4M106DJ23
審査官引用 (1件)
-
溶接用ワイヤ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-294236
出願人：株式会社神戸製鋼所
引用文献：
審査官引用 (1件)
-
Metrology of LER: influence of line-edge roughness
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