特許

J-GLOBAL ID：200903055316474890

少なくとも1個のIGBTを有する集積回路装置

発明者： クラウス-ギユンター オツペルマン
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067233
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250733
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【課題】 所要面積が僅かで、電圧逆転時の高電流によるIGBTの破壊を回避することのできるIGBTを有する集積回路装置を提供する。【解決手段】 ドリフト領域20と接続されている副接触部22を備えているIGBT及び副接触部22とIGBTの陽極21と接続されているダイオードを有する集積回路装置を形成する。その際ダイオードの陰極15はIGBTの陽極21と、またダイオードの陽極14はIGBTの副接触部22と接続させる。こうしてドリフト領域20及びチャネル領域により形成されるIGBTのpn接合はIGBTの内部フリー・ホイーリングとして利用可能となる。

請求項（抜粋）：

ドリフト領域(20)、チャネル領域(24)、ゲート誘電体(26)、ゲート電極(27)、ソース領域(25)、エミッタパターン(18)、ソース領域(25)及びチャネル領域(24)と接続されている陰極(28)、エミッタパターン(18)と接続されている陽極(21)及びドリフト領域(20)と接続されている副接触部(22)を有する少なくとも1個のIGBT(I)と、その陰極(15)がIGBT(I)の陽極(21)とまたその陽極(14)がIGBT(I)の副接触部(22)と接続されるようにIGBT(I)の副接触部(22)と陽極(21)との間に接続されているダイオード(D)とを有することを特徴とする集積回路装置。

FI (4件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/78 657 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-103175
  
• 特開平4-291766
  
• 特開平4-103175
  
• 特開平4-291766