特許

J-GLOBAL ID：200903055316946563

面発光型半導体レーザ装置の作製方法

発明者： 岩井 則広
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263080
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103125
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 熱処理の実施回数を減らした簡略化されたプロセスにより、長期信頼性の高い面発光型半導体レーザ装置を作製する方法を提供する。【解決手段】 本方法は、ダブルヘテロ接合積層構造を第1の基板上に形成し、その最上層を支持体に固定する工程と、第1の基板側からエッチングして、所定の第1の半導体層を露出させる工程と、第2の基板上に第1の導電型の第1の反射鏡を形成し、次いで第1の反射鏡と、第1の半導体層とを室温で密着させる第1の密着工程と、第2の基板及びその上の積層構造を支持体から取り外す工程と、第3の基板上に第1の反射鏡と同じ格子定数を有する第2の導電型の第2の反射鏡を有する積層構造を形成し、次いで第3の基板上の最上層と、第2の基板の最上層とを室温で密着させる第2の密着工程と、熱処理を施して、第1及び第2の密着工程で密着させた面同士を接着する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

少なくともダブルヘテロ接合を有する積層構造を第1の半導体基板上に形成し、積層構造の最上層を支持体に固定する支持体固定工程と、第1の半導体基板側からエッチングして、所定の半導体層を露出させるエッチング工程と、第2の半導体基板上に第1の導電型の第1の反射鏡を形成し、次いで第1の反射鏡と、露出させた上記所定の半導体層とを所定熱処理温度より低くかつ室温以上の温度雰囲気中で密着させて、第2の半導体基板上に積層構造を形成する第1の密着工程と、第2の半導体基板及びその上の積層構造を支持体から取り外す工程と、第3の半導体基板上に第1の反射鏡と同じ格子定数を有する第2の導電型の第2の反射鏡を少なくとも有する積層構造を形成し、次いで第3の半導体基板上の積層構造の最上層と、第2の半導体基板上の積層構造の最上層とを所定熱処理温度より低くかつ室温以上の温度雰囲気で密着させて、積層体を形成する第2の密着工程と、積層体に所定熱処理温度で熱処理を施して、第1及び第2の密着工程で密着させた面同士を接着する工程とを有することを特徴とする、面発光型半導体レーザ装置の作製方法。