特許

J-GLOBAL ID：200903055320252240

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法

発明者： 横沢 眞▲覩▼ ,  進藤 裕之 ,  竹原 秀樹
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-301464
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153942
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 モータ駆動用として用いる際に従来外付けしていた高速ダイオードを不要とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを提供する。【構成】 P+ シリコン基板(コレクタ領域)1上に、エピタキシャル層からなるN+ 領域2およびN- 領域3を形成し、N- 領域3内に選択拡散によってP+領域4を形成した後、リンを拡散させてN+ 領域5を形成する。その後、P+ 領域4上に、二酸化珪素膜6、ポリシリコン膜7、アルミニウム膜8を順次形成する。つぎに、P+ シリコン基板1のコレクタ領域側にレーザ光線を部分的に照射し、N+ 領域2の内部までシリコン結晶を溶解させる。溶解した領域は、照射を中止することで直ちに再結晶化(固化)させ、N型の多結晶領域9とする。IGBTのコレクタ面となるP+ シリコン基板1および多結晶領域9の露出面に電極用金属膜10を形成する。

請求項（抜粋）：

コレクタ領域となる一導電型基板と、この一導電型基板の一主面上に形成したバッファ領域となる高濃度他導電型の第1の領域と、この第1の領域上に形成した低濃度他導電型の第2の領域と、この第2の領域内の表面に形成したゲート領域となる高濃度一導電型の第3の領域と、この第3の領域内の表面に形成したエミッタ領域となる高濃度他導電型の第4の領域と、前記一導電型基板の他主面から前記第1の領域の内部に達する領域に形成した他導電型の第5の領域とを備えた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-236280
  
• 特開平1-300568
  
• 特開平1-149481
  
• 特開平3-126264