特許

J-GLOBAL ID：200903055321099054

半導体装置の製造方法

発明者： 小田 善造
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009275
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199522
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】配線基板上に設けられた半導体素子を樹脂封止する方法に関し、成形作業の繰り返しによる成形後の樹脂と金型との離型性悪化を回復させるための樹脂を使ったダミーシヨツトの工数を削減する。またICチツプのヒビ割れ防止する。【解決手段】ICチツプを配線基板に接着固定し、ICチツプ上の電極と配線基板上の配線とを金属細線で接続したのち、少なくとも内面を膜厚2ミクロンから10ミクロンの窒化チタンで被覆した金型を用いて熱硬化性エポキシ樹脂により封止する。【効果】窒化チタンは成形後の半導体封止樹脂との離型性が良いので、離型性を回復させるためのダミーシヨツトを頻繁に行う必要がなく、生産効率が向上する。またICチツプのヒビ割れを防止できるので半導体装置の信頼性を高めることができる。

請求項（抜粋）：

少なくともキヤビテイ内面を窒化チタンで被覆した金型を用いて樹脂封止する工程を含んだことを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  B29C 33/38 ,  B29C 45/02

FI (3件)：

H01L 21/56 R ,  B29C 33/38 ,  B29C 45/02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 樹脂成形金型
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-197357   出願人：株式会社東芝, 岩手東芝エレクトロニクス株式会社