特許

J-GLOBAL ID：200903055333640478

バンドギャップが低く電荷移動度が高いポリマー

発明者： ゴーディアナ、ラッセル ,  キングスボロー、リチャード ,  ウォラー、デイビッド ,  シ、シァオボ ,  ジュ、ジェングオ
出願人/特許権者： コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠 ,  本田 淳 ,  池上 美穂
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-521642
公開番号（公開出願番号）：特表2009-506519
出願日： 2006年07月12日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：

バンドギャップが低く且つ電荷移動度が高いポリマー、並びに関連するシステム、方法及び構成成分が開示される。

請求項（抜粋）：

光起電力電池であって、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極の間に配置される光活性物質とを含み、前記光活性物質が、第1のコモノマー繰り返し単位及び第2のコモノマー繰り返し単位を含み、その際、第1のコモノマー繰り返し単位が、シクロペンタジチオフェン部分を含み、前記第2のコモノマー繰り返し単位が、チエノチオフェン部分、酸化チエノチオフェン部分、ジチエノチオフェン部分、酸化ジチエノチオフェン部分、テトラヒドロイソインドール部分又はシロレ部分を含む光起電力電池。

IPC (4件)：

H01L 51/42 ,  C08G 61/12 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (4件)：

H01L31/04 D ,  C08G61/12 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250G

Fターム (10件)：

4J032BA04 ,  4J032BA05 ,  4J032BB04 ,  4J032BC03 ,  4J032BC34 ,  4J032BD07 ,  4J032CG01 ,  5F051AA11 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許出願第10/723,554号
  
• 米国特許出願第10/558,878号
  
• 米国特許第7,002,910号
  
• 国際公開第2005/92947号
  

審査官引用 (4件)

• 光電変換素子及び太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-095186   出願人：シャープ株式会社, 株式会社国際基盤材料研究所
• チエノチオフェン誘導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-199413   出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
• チオフェン-シロ-ル共重合体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-082620   出願人：信越化学工業株式会社
• 光学デバイスに使用すべきポリマーの調製に使用するモノマー
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-559423   出願人：ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド

引用文献：

審査官引用 (4件)

• Investigation of the electronic properties of cyclopentadithiophene polymers and copolymers
• Polymer Solar Cells Based on a Low-Bangap Fluorene Copolymer and a Fullerene Derivative with Photocu
• Dialkylcyclopentadithiophene Polymers and Copolymers
• Low band gap-conjugated polymer derivatives