ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-093860
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267247
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】酸化シリコン系材料層のドライエッチングにおいて、下地のシリコン系材料層へのダメージ発生を防止しながら高選択性を達成する。【構成】 CSF2 (フッ化チオカルボニル)をエッチング・ガスとして用い、単結晶シリコン基板1上のSiO2 層間絶縁膜3にコンタクト・ホール5を開口するためのエッチングを行う。放電解離条件下でCSF2 から生成するF* によるラジカル反応が、CFx + ,CS+ ,SFx + 等のイオンの入射エネルギーにアシストされながらエッチングが進行する。また、炭素系ポリマーとS(イオウ)とが側壁保護や下地選択性の確保に寄与するので、従来のように分子内にH原子を有する堆積性ガスを併用する必要がない。したがって、H+ による基板ダメージが回避できる。

請求項（抜粋）：

分子内に少なくともチオカルボニル基とフッ素原子とを有するチオカルボニル化合物を含むエッチング・ガスを用いて酸化シリコン系材料層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

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