低Si銑を製造する高炉操業方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小杉佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-050383
公開番号（公開出願番号）：特開平8-311511
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1996年11月26日
要約：

【要約】【課題】高炉1において低Si銑を製造するために高塩基度原料2aを炉周辺部に、低塩基度原料2bを炉中心部に装入する技術をさらに改善する。【解決手段】高炉装入物の塩基度分布を、炉の無次元半径0.7±1より大きい無炉周辺部で高く、中心部で低くし、かつコークス中心装入を実施して炉芯の通液性を高く保ち、安定的に低Si銑を製造する。

請求項（抜粋）：

高炉内に堆積させる原料の塩基度CaO/SiO2 の半径方向分布を炉周辺部寄りの原料の塩基度が炉中心部寄りの原料の塩基度より0.5以上高くなるように装入原料および装入方法を調節し、かつ、高炉中心部にコークスを装入し、中心部コークス層厚を大きくすることを特徴とする低Si銑を製造する高炉操業方法。

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