半導体レーザその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-344734
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174388
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】埋込構造の半導体レーザに関し、埋込構造の電流ブロック効果を良好にするとともに、電流ブロック層上面とその上の半導体層をより平坦にすること。【解決手段】側壁がn型基板の(100) 面に対して70〜90度の範囲の角度を有し且つ最上面から活性層13よりも下の位置まで形成された多層構造のメサ部16と、その側壁から基板の(100) 面に沿って形成されたp型不純物を含む第1の埋込層17と、メサ部16の側方で第1の埋込層17の上にn型不純物を含んで形成され且つメサ部16の側壁に対向する側面を有し、該側面の最上部と最下部が活性層13より上と下にあり、該側面はメサ部16の側壁の角度と (110)面で規定される角度の中間の角度を有する面で規定され、さらに、該側面から側方に延びて一部に(N11) 面(但し、N≧2)が表出する上面と下面を有する第2の埋込層18とを含む。

請求項（抜粋）：

第一導電型不純物を含む半導体基板の(100)面の上方に形成された活性層を含む多層構造を有し、かつ前記(100)面に対して70度から90度の範囲の角度で傾きながら前記活性層よりも下の位置まで延在する第1の側面を有する平面ストライプ形状のメサ部と、前記メサ部の前記側壁から前記半導体基板の前記(100)面に沿って形成された第二導電型不純物を含む第1の埋込層と、前記メサ部の側方であって前記第1の埋込層の上に第一導電型不純物を含んで形成された第2の埋込層であって、該第2の埋込層は側面と上面と下面を有し、前記側面は、前記メサ部の前記側壁に接し、最上部が前記活性層よりも上にあり、最下部が前記活性層よりも下側にあり、かつ、前記メサ部の前記側壁の角度と(110)面で規定される角度の中間の角度を有する第一面で規定されるか又は前記第一面の上端から前記メサ部寄りに延びる(111)面と前記第一面との複合面で規定され、前記上面と下面は、前記側面から側方に延びて一部に(N11)面(但し、N≧2)が表出し、前記第2の埋込層及び前記メサ部の上に形成された第二導電型不純物を含有する第1のクラッド層とを有することを特徴とする半導体レーザ。

Fターム (7件)：

5F073AA22 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA12 , 5F073CB11 , 5F073EA23 , 5F073EA29

前のページに戻る